Ixys

Diodi raddrizzatori per alta tensione

UGE 3126 AY4

Il diodo raddrizzatore UGE3126AY4 ha le seguenti caratteriche nominali: VRRM = 24000 V e IF(AV)M = 2.0 A

Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.

A stock per consegna immediata.

UGE 1112 AY4

Diodo raddrizzatore caratterizzato da VRRM = 8000 V e IF(AV)M = 4.2 A

Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.

A stock per consegna immediata.

UGE 0421 AY4

Diodo raddrizzatore caratterizzato da VRRM = 3200 V e IF(AV)M = 22.9 A

Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.

A stock per consegna immediata.

UGE 0221 AY4

Diodo raddrizzatore caratterizzato da VRRM = 4800 V e IF(AV)M = 10.2 A

Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.

A stock per consegna immediata.

DSA 9-16F

Il diodo a valanga DSA9-16F è caratterizzato da una VRRM = 1600 V e IF(AV)M = 11 A

La connessione a vite permette un facile montaggio.

Ponte raddrizzatore trifase ad alta tensione

UGD 8124 AG

Ponte raddrizzatore trifase caratterizzato da VRRM = 10500 V e IF(AV)M = 1.2 A

Costruzione sigillata in epoxy.

A stock per consegna immediata.

Diodi, Mosfet, Thyristor

DSEI-120-12A

FRED diode (Fast Recovery Epitaxial Diode) Ixys, nominal parameters VRRM 1200V, IFAVM109A.

Available at stock, immediate delivery worldwide.

Diodi, Mosfet, Thyristor & IGBT

Ixys propone un'ampissima gamma di diodi, Mosfet, Thyristor e IGBT di potenza.

Sono altresì disponibili moduli che combinano più semiconduttori, per un assemblaggio più rapido.

Non esitate a contattarci per un supporto nella selezione e per richieste di fornitura.